RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
50
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3058
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link