RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3058
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link