RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3058
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix JICRBOOAN-8G1600PC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link