RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
87
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3373
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link