RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
87
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3241
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Inmos + 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link