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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
20.2
写入速度,GB/s
870.4
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3241
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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