RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
87
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
17.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
4053
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link