RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
87
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2157
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link