RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
87
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2157
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link