RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
87
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2157
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link