RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
17.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
4065
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link