RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
53
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2687
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link