RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
53
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2687
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link