RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
53
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
9.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2340
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link