RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
53
Por volta de -112% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2340
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link