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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1780
2312
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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