RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
39
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2180
2364
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link