RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
39
Velocità di lettura, GB/s
12.5
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2364
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link