RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
96
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3306
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link