RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
96
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3306
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link