RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3371
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link