RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
104
Около -300% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3756
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link