RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
96
Rund um -256% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2062
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link