RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
96
Por volta de -256% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2062
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link