RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
96
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2017
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link