RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
96
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2336
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link