RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
96
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2336
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link