Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 96

Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.2 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 35
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 14.8
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 2336

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM