RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
60
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
2511
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link