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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
60
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
60
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
2511
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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