RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
60
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
60
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2511
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link