RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
33
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
22
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3926
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link