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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
17.9
写入速度,GB/s
12.0
16.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3926
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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