RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
25
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
18.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3529
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link