RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
25
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
18.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3529
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link