RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3529
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link