RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3529
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link