RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3529
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link