RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
2789
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link