RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
94
En -185% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
33
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3219
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link