RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
94
En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3636
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link