RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
94
En -327% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
22
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3665
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link