RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
94
Por volta de -327% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
22
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3665
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Relatar um erro
×
Bug description
Source link