RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
94
En -327% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
22
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link