RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
3055
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link