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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
46
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2660
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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