RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
52
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1897
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link