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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
2,614.5
16.0
写入速度,GB/s
1,145.9
13.4
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
1897
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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