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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
66
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3422
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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