RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
66
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
4382
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link