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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
66
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2832
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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