RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
66
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2666
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link