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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
総合得点
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
17.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
66
周辺 -200% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
1,557.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
22
読み出し速度、GB/s
2,775.5
17.7
書き込み速度、GB/秒
1,557.9
13.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
382
2666
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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