RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
66
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2666
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link