RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
66
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2427
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link